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本講演では, 微 細化したlsiが抱える経年劣化, 一時 故障, ばらつきなどの信頼性関連の 諸問題とその対応策について述べる. 433 0 obj
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�L���Ss:�_L��=��b۶�S��v����R��m;��J��N$�&^z�HF�$�b:0�(�nI}ԿJ�U���ߦ�W��{�㿏�ާp�m���~>���-֯���c�����-�~�����|��깻ݤ��~:QS�O�F�9�M��%�E���^-�/C�x� �Y�T��9��z�s�N�nm���-�-. h�b```"Mv�3� �� ソグラフィによる微細化が理論限界を 迎えている（囲み記事参照）。しかし， 半導体デバイスの微細化と低コスト化 の要求に応えていくため，次世代のリソ グラフィ技術へのパラダイムシフトが起 こっている。 ここでは，東芝の半導体デバイスの ����UД �W%{k&J�\9��w��'��f9��渹l²�Cf�K4�l蝕ɕ���ɕ�"IJ��*�k;�P�"g5Ш�%f&�F�7�*�,mwF2��,B�%�jЀ�L(Ƨm���� ���\�����!�)�@%zW8n���j4��%�2�"�U@m���}ՖV�0+/#y�W���1/4W]�����RN�Ńٚ���5i5�C�q�BKG��yGG�2�`K����`2�LJ@����e��` ��0���Rjh`���"@�
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微細化技術は，半導体製品の高集積 微細化と新材料の開発 図1．itrsの微細化ロードマップと東芝の実績－ロードマップでは年率およそ85%に微細化する ことが求められており， 当社はロードマップに沿った微細加工技術を確立してきた。 ke�^��`����S��������j�Z�0S���f���0�V�.�����g�y��+W;@��g,�]$�V�� endstream
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このため，半導体デバイスの微細化トレンドは，SoCや フラッシュ・メモリーを中心に前倒し傾向にある。すでに 45nmデバイスの量産が始まり，32～22nmプロセスの開発 も行われている。回路パターンの微細化，高密度化/高集積
hޔU[kcG����'�1��g�X�=�lC�6��g��)�m�H��~Ҍz��G�h�O�d�RX�J�xa�����J,�����BE %���J��\��n*��t3�h>�^H¶o�v��ݏ�߮ŗv��@\ ՌG�_ ������kN_����]�X���C���� �K���ɸ�6���]^t��� � �IW���٬}Xۜ-�����%(���0S�dl�{g�S? H��Uɪ+G�-o�K%�&`�/��3�2g"� ���Q�n�����tIG�#U��RK"EcMB��������~����+�&��di� 7������N2]�~«���w8.�O��=�ϸ�0(��b�"t��#�LQ�&��
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